NAND 플래시(NAND Flash Memory)는 전원을 꺼도 저장된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 메모리의 한 종류로, SSD, 스마트폰 내장 저장공간, USB 메모리, SD 카드, 데이터센터 스토리지 등 현대 디지털 저장장치에 가장 널리 사용되는 반도체 메모리다.[1] 흔히 낸드, 낸드플래시라고 줄여 부르며, DRAM과 함께 세계 메모리 반도체 산업을 구성하는 양대 축이다.
DRAM이 컴퓨터가 지금 당장 작업하고 있는 데이터를 잠시 올려놓는 작업대라면 NAND 플래시는 파일을 장기간 보관하는 창고 역할을 한다. DRAM은 전원을 끄면 기억을 싹 날려버리지만 NAND는 전기가 없어도 데이터를 유지한다.[2] 대신 DRAM보다 느리고, 데이터를 무한정 쓰고 지울 수도 없으며, 데이터를 덮어쓰는 과정도 훨씬 복잡하다.
현대인이 스마트폰으로 사진 찍고, 게임 설치하고, SSD에 야동 처박아두고, USB에 과제 넣어놓고 안심할 수 있는 이유가 사실상 NAND 플래시 덕분이다. 전원 껐다고 파일이 전부 증발한다면 인류는 매일 아침 운영체제부터 다시 설치해야 한다.
원리
비휘발성 메모리
NAND 플래시의 가장 중요한 특징은 전원이 없어도 데이터가 유지된다는 것이다.[3]
메모리 셀 내부에 전자를 가두거나 전하상태를 조절하고, 이 전하 때문에 변화하는 트랜지스터의 임계전압을 읽어 데이터를 구분한다. 과거에는 주로 Floating Gate 구조가 사용됐고 현대 3D NAND에서는 Charge Trap Flash 계열 구조도 널리 사용된다.[4]
DRAM처럼 커패시터 전하가 계속 새어나가서 몇십 밀리초마다 복습해야 하는 구조가 아니므로 별도의 지속적인 리프레시가 필요하지 않는다.
즉 DRAM은 전기 끊기면 나 아무것도 기억 안 남 ㅅㄱ 하는 금붕어고 NAND는 적어도 저장한 건 기억하는 놈이다.
NAND라는 이름
NAND 플래시는 여러 메모리 셀을 직렬로 연결하는 구조를 사용한다.[5]
반대로 NOR 플래시는 메모리 셀을 병렬로 연결한다.[6]
NAND 방식은 셀을 직렬로 묶어 회로면적을 줄이기 쉬워 같은 면적에 더 많은 데이터를 넣을 수 있고 비트당 제조비용이 낮다. NOR는 임의 위치의 데이터를 빠르게 직접 읽는 데 유리해 펌웨어와 부트코드 등에 사용되고, NAND는 대용량 데이터 저장에 유리해 SSD와 스마트폰 저장장치에 사용된다.[7]
| 구분 | NAND 플래시 | NOR 플래시 |
|---|---|---|
| 셀 연결 | 직렬 | 병렬 |
| 집적도 | 높음 | 상대적으로 낮음 |
| 비트당 비용 | 저렴 | 비쌈 |
| 읽기 | 대용량·순차처리에 유리 | 빠른 임의 접근에 유리 |
| 쓰기·삭제 | 상대적으로 빠름 | 상대적으로 느림 |
| 주요 용도 | SSD, 스마트폰, SD카드, USB | BIOS, 펌웨어, 임베디드 코드 |
PC에 2TB SSD 처박을 수 있는 이유도 NAND 구조가 용량 뽑아내기에 존나 유리하기 때문이다. NOR로 같은 짓 하면 SSD 가격표 보고 사람이 먼저 비휘발성 상태가 된다.
셀
Cell은 NAND 플래시에서 데이터를 저장하는 기본적인 공간이다.
셀 안에 저장되는 전하의 양을 여러 단계로 구분해 디지털 데이터를 저장한다.[8]
예를 들어 가장 단순한 SLC에서는 셀이 두 가지 상태만 구분하면 된다. 전압상태 A이면 0, 상태 B이면 1이라는 식이다.
그런데 한 셀에서 전압상태를 더 세밀하게 구분하면 2비트, 3비트, 4비트까지 저장할 수 있다.
방 하나에 한 명만 집어넣다가 월세 아깝다고 칸막이 존나 쳐서 네 명까지 넣는 것과 비슷하다. 당연히 용량효율은 좋아지는데 누가 어느 칸에 사는지 확인하기는 점점 빡세진다.
SLC·MLC·TLC·QLC
NAND 플래시는 한 셀에 몇 비트를 저장하느냐에 따라 크게 SLC·MLC·TLC·QLC로 구분한다.[9]
| 종류 | 풀네임 | 셀당 데이터 | 구분해야 하는 상태 | 특징 |
|---|---|---|---|---|
| SLC | Single-Level Cell | 1비트 | 2개 | 빠르고 수명이 길지만 비쌈 |
| MLC | Multi-Level Cell | 2비트 | 4개 | SLC보다 저렴하고 고용량 |
| TLC | Triple-Level Cell | 3비트 | 8개 | 소비자·기업용 SSD의 주력 |
| QLC | Quad-Level Cell | 4비트 | 16개 | 매우 높은 집적도와 낮은 비트당 비용 |
SLC
SLC는 한 셀에 1비트만 저장한다.
두 가지 전압상태만 구분하면 되므로 읽고 쓰기가 빠르고 오류 가능성이 낮으며 쓰기수명도 길다.[10]
대신 같은 용량을 만들려면 셀이 많이 필요하기 때문에 비싸다.
신뢰성과 내구성이 특히 중요한 산업·자동차·항공우주·고성능 임베디드 시스템 등에 사용된다.
원룸 하나에 한 명씩 살게 해주니까 존나 쾌적한 대신 건물주 입장에서는 돈이 안 된다.
MLC
MLC는 일반적으로 한 셀에 2비트를 저장한다.
한 셀이 `00`, `01`, `10`, `11`의 네 가지 상태를 구분해야 한다.[8]
SLC보다 용량효율이 두 배 높지만 읽기·쓰기 속도와 내구성은 떨어진다.
과거 고급 소비자용 SSD에서 많이 사용됐으나 3D TLC 기술이 발전하면서 현재 신제품에서는 비중이 크게 줄었다.[11]
예전 SSD 커뮤니티에서는 MLC 아니면 쓰레기 같은 소리가 흔했는데 시간이 지나면서 TLC가 그 자리를 거의 다 먹었다. 반도체 업계에서는 어제의 쓰레기가 공정기술 몇 세대 지나면 오늘의 표준이 된다.
TLC
TLC는 한 셀에 3비트를 저장한다.
한 셀에서 8개의 서로 다른 전압상태를 구분해 데이터를 표현한다.[8]
SLC·MLC보다 쓰기수명과 원시 성능에서는 불리하지만 같은 면적에서 훨씬 많은 데이터를 저장할 수 있고 3D NAND와 컨트롤러·ECC 기술이 발전하면서 소비자용 SSD부터 데이터센터까지 광범위하게 사용되고 있다.[11]
2020년대 중반 기준 가장 보편적인 NAND 형태 가운데 하나다.
SSD 샀는데 상세설명에 아무 말 없으면 상당수는 TLC 아니면 QLC라고 보면 된다.
QLC
QLC는 한 셀에 4비트를 저장하며 16개의 전압상태를 구분한다.[9]
같은 물리적인 셀 수로 SLC보다 이론적으로 네 배의 데이터를 저장할 수 있어 대용량 SSD 가격을 낮추는 데 유리하다.
반면 구분해야 할 전압단계가 많아지므로 쓰기속도·지연시간·내구성·오류관리 측면에서 더 어려워진다.[10]
이 때문에 QLC SSD는 한동안 저가형 소비자 제품 이미지가 강했지만 컨트롤러와 ECC, SLC 캐시 기술이 발전하고 AI 데이터센터에서 초고용량 저장장치 수요가 늘면서 기업용 SSD에서도 사용이 크게 증가하고 있다.
2026년에는 SK하이닉스가 321단 2Tb QLC NAND를 적용한 클라이언트 SSD를 공급하기 시작했고, 대용량 기업용 SSD에서도 QLC 채택을 확대하고 있다.[12]
QLC는 방 하나에 네 명을 욱여넣은 고시원인데 관리인이 존나 유능해지면서 생각보다 잘 굴러가기 시작한 셈이다.
PLC
PLC는 Penta-Level Cell의 약자로 셀 하나에 5비트를 저장하는 개념이다.
한 셀에서 32개의 전압상태를 구분해야 하므로 밀도는 더 높아지지만 성능·내구성·오류제어 난이도 역시 급격히 증가한다.
2026년 현재 TLC와 QLC가 상업용 NAND의 중심이며 PLC는 차세대 고집적 NAND 기술 가운데 하나로 연구·개발되고 있다. SK하이닉스 역시 NAND 분류에서 PLC를 5비트 셀 구조로 설명하고 있다.[12]
사람 넣을 공간 부족하다고 방에 계속 칸막이 치다 보면 언젠가는 홍콩 구룡성채가 된다.
읽기·쓰기·삭제
페이지와 블록
NAND 플래시는 개별 바이트를 마음대로 지우고 덮어쓰는 메모리가 아니다.
메모리 셀은 Page와 Block이라는 단위로 묶이며, 일반적으로 데이터 읽기와 쓰기는 페이지 단위로 이루어지고 삭제는 여러 페이지를 묶은 블록 단위로 이루어진다.[13]
이 구조 때문에 NAND에서는 기존 데이터가 있는 셀에 새로운 내용을 그대로 덮어쓰는 것이 어렵다.
컨트롤러는 새 데이터를 비어 있는 다른 페이지에 기록하고 기존 페이지를 무효화한 뒤, 나중에 필요 없는 페이지들이 쌓이면 유효한 데이터만 다른 곳으로 옮기고 블록 전체를 지워 다시 사용할 수 있게 만든다.
저장버튼 한 번 눌렀을 뿐인데 SSD 내부에서는 데이터 이사, 철거, 재개발 사업이 계속 벌어지고 있는 것이다.
Program/Erase Cycle
NAND 셀은 데이터를 쓰고 지울 때마다 절연막 등에 물리적인 스트레스가 누적된다.
이 때문에 각 셀에는 사용할 수 있는 Program/Erase Cycle, 즉 P/E 사이클에 한계가 있다.
일반적으로 셀당 비트 수가 적을수록 구분해야 하는 전압범위가 넓어 내구성 확보에 유리하며 SLC가 가장 높은 내구성을 제공한다.[10]
그래서 SSD에는 NAND를 아무 생각 없이 직접 쓰는 것이 아니라 셀 마모를 관리하는 컨트롤러가 반드시 붙는다.
Wear Leveling
웨어 레벨링은 특정 NAND 블록만 계속 사용해 먼저 죽지 않도록 쓰기·삭제 작업을 여러 블록에 분산시키는 기술이다.[13]
예를 들어 운영체제가 같은 논리주소에 파일을 계속 수정하더라도 SSD 컨트롤러는 실제 NAND에서는 여러 물리적 위치를 돌아가며 사용할 수 있다.
사용자는 C드라이브 같은 자리만 계속 쓰고 있다고 생각하는데 SSD 안에서는 컨트롤러가 몰래 땅바꾸기를 존나 돌리고 있다.
Garbage Collection
Garbage Collection은 더 이상 유효하지 않은 페이지가 포함된 블록을 정리해 다시 쓸 수 있는 빈 블록을 확보하는 작업이다.[13]
유효한 데이터만 다른 블록으로 옮기고 기존 블록 전체를 삭제하는 방식으로 동작한다.
SSD 용량이 거의 꽉 찼을 때 장시간 쓰기성능이 떨어지는 이유 중 하나도 컨트롤러가 사용할 빈 공간과 정리할 여유가 줄어들기 때문이다.
사람도 방 하나 꽉 차면 청소하기 힘든데 SSD도 똑같다.
ECC
NAND는 공정미세화와 셀당 비트 수 증가로 오류가 발생할 가능성이 존재하기 때문에 ECC(Error Correcting Code)가 매우 중요하다.[10]
컨트롤러는 데이터를 읽을 때 일부 비트 오류를 검출하고 복구한다.
특히 TLC와 QLC처럼 하나의 셀에서 여러 전압상태를 구분하는 NAND에서는 강력한 오류정정 기술이 제품 신뢰성을 좌우한다.
SSD 컨트롤러가 없으면 NAND는 그냥 반도체 알갱이 수십억 개 모아놓은 골칫덩어리에 가깝다.
Bad Block
NAND에는 제조 당시부터 사용할 수 없는 블록이나 사용하면서 수명이 다해 불량이 되는 블록이 존재할 수 있다.
컨트롤러는 이런 블록을 관리하고 예비영역으로 교체한다.[10]
그래서 NAND 전체 물리용량과 소비자가 실제 사용할 수 있는 용량은 완전히 같지 않다.
SSD
NAND와 SSD는 같은 게 아니다
SSD와 NAND 플래시는 흔히 같은 것으로 착각하지만 엄밀하게는 다르다.
NAND는 데이터를 저장하는 반도체 메모리 자체이고 SSD는 NAND와 컨트롤러, 펌웨어, 인터페이스 등을 결합해 컴퓨터에서 저장장치로 사용할 수 있도록 만든 완제품이다.[13]
자동차와 엔진을 같은 말이라고 하지 않는 것과 비슷하다.
컨트롤러
SSD 컨트롤러는 NAND의 논리주소와 실제 물리주소를 변환하고, ECC·웨어 레벨링·배드블록 관리·가비지컬렉션 등을 수행한다.[10]
좋은 NAND를 사용하더라도 컨트롤러와 펌웨어가 개판이면 성능과 안정성이 떨어질 수 있다.
반대로 TLC나 QLC처럼 원시특성이 상대적으로 불리한 NAND도 좋은 컨트롤러와 병렬처리, 캐싱기술을 사용하면 상당히 높은 성능을 낼 수 있다.
그래서 SSD 살 때 삼성 NAND 들어감!만 보고 끝내지 말고 컨트롤러와 펌웨어, 실제 지속쓰기 성능까지 보는 게 낫다.
SLC 캐시
많은 TLC·QLC SSD는 일부 NAND를 일시적으로 SLC처럼 사용해 빠르게 데이터를 받아주는 SLC 캐시 기술을 사용한다.
짧은 파일쓰기에서는 빠른 속도를 보이다가 캐시가 가득 차면 NAND 본래의 지속쓰기 속도로 떨어질 수 있다.
그래서 SSD 리뷰에서 처음에는 초당 몇 GB 나오다가 대용량 파일을 계속 쓰면 갑자기 속도가 존나 떨어지는 그래프가 등장한다.
SSD가 사기를 친 게 아니라 광고에 나온 최고속도와 NAND 본체의 지속속도가 다른 것이다.
DRAM 캐시
일부 SSD는 별도의 DRAM을 장착해 주소변환정보 등의 캐시로 사용한다.
DRAM이 없는 SSD도 Host Memory Buffer나 컨트롤러 내부 SRAM 등을 이용해 동작할 수 있으므로 DRAM리스 = 무조건 쓰레기는 아니다.
다만 제품구조와 용도에 따라 성능특성이 달라질 수 있다.
3D NAND
2D NAND의 한계
초기 NAND는 셀을 실리콘 표면에 평면으로 배열하는 2D NAND 또는 Planar NAND 구조였다.
공정미세화를 통해 셀 크기를 계속 줄이면서 용량을 높였지만 셀 사이 거리가 지나치게 좁아지면서 전하 간섭과 누설, 신뢰성 문제가 커졌다.[14]
평면에 집 존나 다닥다닥 지어서 더 이상 사람 넣을 공간이 없어진 것이다.
위로 쌓자
해결책은 존나 단순하면서 미친 발상이었다. 옆으로 못 넓히면 위로 쌓는 것이다.
3D NAND는 메모리 셀을 수직으로 여러 층 쌓아 동일한 면적에서 훨씬 높은 용량을 확보한다.[14]
아파트로 치면 단독주택 수백 채를 미친 듯이 좁혀 짓다가 한계가 오니까 그냥 고층아파트를 올린 것이다.
V-NAND
삼성전자는 자사의 3D NAND를 V-NAND(Vertical NAND)라고 부른다.
삼성전자는 2013년 24단 3D V-NAND를 세계 최초로 양산했다.[15]
이후 32단·48단·64단·90단 이상으로 계속 적층수를 늘려왔다.
2024년에는 1Tb TLC 9세대 V-NAND 양산을 시작했고 이후 같은 세대 QLC 제품까지 양산했다.[16]
2026년 Flash Memory Summit에서는 V10 BV-NAND를 공개했으며 400단을 넘는 구조와 웨이퍼 본딩 기술을 적용했다고 밝혔다.[17]
2013년에 24층 아파트 자랑하던 놈들이 13년 지나니까 400층 넘는 거 짓겠다고 하고 있다.
BiCS FLASH
키옥시아는 자사의 3D NAND 기술을 BiCS FLASH라고 부른다.
키옥시아의 전신인 도시바는 2007년 세계 최초로 3D 플래시 메모리 기술을 발표했다.[18]
키옥시아는 이후 세대를 거듭하며 3D NAND 적층기술과 웨이퍼 본딩 등을 발전시키고 있다.[19]
4D NAND
SK하이닉스는 자사의 일부 3D NAND 구조를 4D NAND라고 부른다.
3차원으로 적층된 셀 아래에 주변회로를 배치하는 구조를 활용해 면적효율을 높인 기술이다.
SK하이닉스는 2024년 세계 최초로 321단 TLC NAND 양산을 시작했고, 2025년에는 321단 2Tb QLC NAND 양산을 시작했다.[20][21]
2026년에는 321단 제품이 SK하이닉스 NAND 생산에서 가장 큰 비중을 차지하기 시작했고 연말까지 국내 생산능력의 약 절반 수준으로 확대할 계획을 밝혔다.[22]
역사
플래시 메모리의 탄생
플래시 메모리는 일본 도시바의 엔지니어 마스오카 후지오가 개발했다.
마스오카는 1984년 NOR 방식 플래시 메모리를 발표했고, 이후 더 작은 셀과 낮은 비트당 비용을 목표로 NAND 구조를 개발해 1987년 국제전자소자회의(IEDM)에서 발표했다.[23][24]
현재 키옥시아로 이어지는 도시바 메모리 사업은 1987년을 세계 최초 NAND 플래시 발명의 해로 기록하고 있다.[3]
도시바에서 키옥시아로
도시바의 메모리사업은 2017년 Toshiba Memory Corporation으로 분리됐고 2019년 사명을 KIOXIA Corporation으로 변경했다.[25]
따라서 NAND를 키옥시아가 발명했다는 현대 회사소개와 도시바가 발명했다는 역사자료는 서로 모순되는 말이 아니다.
그때 도시바 메모리였던 놈이 지금 키옥시아다.
SSD의 성장
NAND의 비트당 가격이 지속적으로 하락하면서 2000년대 이후 USB 메모리·메모리카드·MP3 플레이어·스마트폰 등에 폭발적으로 보급됐다.
이후 SSD 가격이 내려가면서 PC에서도 기계식 HDD를 빠르게 대체하기 시작했다.
SSD는 회전하는 디스크와 헤드가 없어 HDD보다 접근시간이 짧고 충격에 강하며 소비전력과 소음 측면에서도 유리하다.[26]
옛날에는 부팅버튼 누르고 화장실 갔다 와도 윈도우가 아직 정신 못 차리는 게 정상적인 PC였는데 SSD 대중화 이후 그 꼴을 보기 힘들어진 데 NAND가 크게 기여했다.
사용처
SSD
가장 대표적인 NAND 제품이다.
개인용 SATA·NVMe SSD부터 서버와 데이터센터의 초고용량 Enterprise SSD까지 모두 NAND를 사용한다.
특히 AI 시대에는 추론서비스에서 거대한 모델과 데이터셋, KV 캐시 등을 저장하기 위한 고성능·고용량 SSD 수요가 크게 늘고 있다.[27]
스마트폰
스마트폰에서 흔히 말하는 128GB·256GB·512GB·1TB 저장공간도 NAND 플래시다.
현대 스마트폰에서는 주로 UFS 규격으로 패키징된 NAND 저장장치를 사용한다.
UFS는 NAND와 컨트롤러를 하나의 패키지에 넣어 모바일 장치에서 고속 저장장치로 사용할 수 있도록 만든 Managed NAND 제품이다.[10]
2026년에는 키옥시아가 차세대 모바일과 온디바이스 AI를 겨냥한 UFS 5.0 제품 샘플링을 발표하기도 했다.[28]
스마트폰 광고에서 저장공간 512GB라고 쓰는 걸 반도체식으로 번역하면 손바닥만 한 기계 안에 NAND 존나 때려박았다는 말이다.
eMMC
eMMC는 NAND와 컨트롤러를 한 패키지에 통합한 저장장치 규격이다.[10]
스마트폰·태블릿·산업장비·자동차·저가형 컴퓨터 등에 널리 사용돼왔다.
UFS보다 구조와 인터페이스가 단순하고 성능이 낮지만 저렴하고 구현하기 쉽다는 장점이 있다.
USB 메모리와 SD 카드
USB 플래시 드라이브와 SD·microSD 메모리카드도 NAND를 사용한다.[10]
소형 컨트롤러가 NAND를 관리하고 외부에는 USB 또는 SD 인터페이스를 제공한다.
크기만 손톱만 하다고 단순한 물건은 아니다. microSD 카드 안에도 NAND, 컨트롤러, ECC, 웨어레벨링 같은 기술이 꾸역꾸역 들어간다.
자동차
자동차에는 내비게이션 지도, 인포테인먼트 시스템, ADAS 데이터, 이벤트 기록 등에 NAND 기반 저장장치가 사용된다.
자동차용 메모리는 높은 온도변화와 장기간 사용환경을 견뎌야 하므로 소비자용 저장장치보다 엄격한 신뢰성 요구가 적용되는 경우가 많다.
자동차가 점점 컴퓨터가 되면서 낸드 업체 입장에서는 바퀴 네 개 달린 새로운 SSD 고객이 생긴 셈이다.
DRAM과 차이
NAND와 DRAM은 둘 다 메모리 반도체지만 용도가 전혀 다르다.
| 구분 | NAND 플래시 | DRAM |
|---|---|---|
| 전원 차단 | 데이터 유지 | 데이터 소멸 |
| 종류 | 비휘발성 메모리 | 휘발성 메모리 |
| 속도 | 상대적으로 느림 | 매우 빠름 |
| 용량당 가격 | 저렴 | 비쌈 |
| 쓰기수명 | P/E 사이클 제한 존재 | 일반적인 NAND식 쓰기수명 문제 없음 |
| 주요 용도 | SSD·스마트폰 저장공간·USB·SD카드 | PC·서버·스마트폰 작업 메모리 |
PC에 RAM 32GB와 SSD 2TB가 같이 들어가는 이유가 이 역할 차이다.
DRAM은 책상이고 NAND는 서랍장이다. 책상이 아무리 커도 집문서를 밤새 올려놓고 전원 뽑으면 좆되고, 서랍장이 아무리 커도 CPU가 그 안에서 직접 작업하려 하면 존나 느리다.
시장
삼성전자
삼성전자는 세계 최대 NAND 공급업체다.
Counterpoint Research 기준 2026년 2분기 NAND 매출점유율은 약 28%로 세계 1위를 유지했다.[29]
삼성전자는 V-NAND 기술을 기반으로 스마트폰 저장장치부터 소비자 SSD와 기업용 SSD까지 NAND 기반 제품을 생산한다.
SK하이닉스
SK하이닉스는 2026년 2분기 매출점유율 약 19%로 세계 2위였다.[29]
SK하이닉스는 자체 NAND 사업 외에도 2021년 인텔의 NAND·SSD 사업을 인수해 설립된 솔리다임(Solidigm)을 통해 기업용 SSD 시장을 확대하고 있다.
특히 초고용량 QLC 기업용 SSD가 AI 데이터센터에서 빠르게 성장하면서 NAND 사업 수익성이 크게 개선됐다.[30]
DRAM에서는 HBM 팔아서 돈 벌고 NAND에서는 AI 서버 SSD 팔아서 돈 버는 중이다. AI 회사들이 서버 지을 때마다 메모리 회사 통장에 자동이체 걸어놓은 것 같은 시기다.
마이크론
미국의 마이크론(기업)은 2026년 2분기 NAND 매출점유율 약 15%로 세계 3위를 기록했다.[29]
DRAM과 NAND를 모두 생산하며 소비자·모바일·자동차·데이터센터용 제품을 공급한다.
키옥시아
일본의 키옥시아는 NAND 플래시를 발명한 도시바 메모리 사업의 후신이다.
2026년 2분기 매출점유율은 약 14%였다.[29]
BiCS FLASH라는 3D NAND 기술을 개발하며 스마트폰·SSD·데이터센터 시장에 제품을 공급한다.
1980년대 일본이 DRAM 왕국에서 밀려난 것과 달리 NAND에서는 발명자의 후손이 아직 상위권에 남아 있다.
YMTC
중국의 YMTC는 2010년대 후반부터 빠르게 성장한 NAND 제조업체다.
Counterpoint Research 기준 2026년 2분기 매출점유율은 약 14%였으며 비트 출하량 기준으로는 14%를 기록해 삼성전자와 SK하이닉스에 이어 세계 3위까지 올라왔다.[29][27]
자체적인 Xtacking 구조를 사용하며 중국 내수시장과 소비자용 제품에서 생산규모를 빠르게 늘리고 있다.
한국 반도체업계 입장에서는 CXMT가 DRAM 쪽에서 올라오고 YMTC가 NAND 쪽에서 올라오는 구조다. 양쪽에서 중국업체가 동시에 문 두드리고 있으니 아직 기술차이 남 ㅋㅋ 하고 누워 있을 상황은 아니다.
샌디스크
샌디스크 역시 주요 NAND 공급업체다.
2026년 2분기 매출점유율은 약 11%였다.[29]
키옥시아와 오랫동안 NAND 생산시설을 공동 운영해왔으며 소비자 SSD·메모리카드·데이터센터 제품 등으로 유명하다.
2026년 시장점유율
Counterpoint Research의 2026년 2분기 매출 기준 시장점유율은 다음과 같다.[29]
| 업체 | 국가 | 매출점유율 |
|---|---|---|
| 삼성전자 | 대한민국 | 28% |
| SK하이닉스 | 대한민국 | 19% |
| 마이크론(기업) | 미국 | 15% |
| 키옥시아 | 일본 | 14% |
| YMTC | 중국 | 14% |
| 샌디스크 | 미국 | 11% |
반올림 수치라 합계가 정확히 100%가 되지 않을 수 있다.[29]
시장조사업체마다 집계기준이 달라 수치는 조금씩 다르다. TrendForce는 2026년 2분기 상장된 주요 5개 NAND 브랜드 기준 삼성전자 29.3%, SK하이닉스 그룹 18.2%, 마이크론 15.1%, 키옥시아 13.6%, 샌디스크 11.4%로 집계했으며 비상장 중국기업 YMTC는 해당 표의 주요 5개 상장사 집계에서 제외했다.[30]
주식쟁이가 시장점유율 표 두 개 들고 와서 어? 숫자 다른데 둘 중 하나 구라 아님? 할 수 있는데 조사범위와 매출인식 기준부터 봐야 한다.
AI 시대
기업용 SSD
과거 NAND 시장의 핵심 수요는 스마트폰과 PC·소비자 SSD였지만 2020년대 중반에는 AI 데이터센터용 Enterprise SSD가 빠르게 성장하고 있다.
Counterpoint Research에 따르면 2026년 2분기 기업용 SSD가 세계 NAND 비트 출하량의 48%를 차지했으며 1년 전 26%에서 거의 두 배로 증가했다.[27]
AI 모델 학습뿐 아니라 추론 단계에서 대규모 데이터셋과 KV 캐시를 저장하고 빠르게 공급해야 하기 때문에 고용량·고성능 SSD 수요가 증가하고 있다.[27]
AI 때문에 HBM만 미쳐 돌아가는 줄 알았더니 이제 SSD까지 처먹기 시작했다.
공급부족
2026년에는 메모리업체들이 설비투자를 수익성이 높은 DRAM과 HBM에 우선 배정하면서 NAND 신규 생산능력 확대가 제한됐다.[30]
반면 AI 서버용 기업 SSD 수요는 강하게 증가하면서 NAND 시장에서 공급부족과 가격상승이 나타났다.
Counterpoint Research는 2026년 2분기 NAND 가격이 전분기 대비 약 55% 상승했고 전체 시장 매출이 약 70% 증가했다고 집계했다.[29]
몇 년 전에는 NAND 너무 많이 만들어서 가격 개박살 난다고 감산하던 회사들이 이번에는 물건 없으니까 더 비싸게 팝니다 하고 있다. 메모리 산업의 영원한 전통이다.
치킨게임
NAND도 DRAM과 마찬가지로 대표적인 반도체 치킨게임 산업이다.
공장 하나 짓는 데 수십조 원이 들어가고 새로운 적층기술과 장비를 계속 도입해야 하기 때문에 규모가 작은 업체가 장기간 버티기 어렵다.
공급이 수요보다 조금만 많아져도 가격이 급락하고 업체들이 감산하면 다시 공급부족과 가격상승이 나타난다.
과거 수많은 업체가 NAND 사업에서 철수하거나 합병됐으며 현재는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론·키옥시아·샌디스크·YMTC 등 소수 대형업체가 시장 대부분을 차지한다.
반도체 회사들끼리 서로 죽이겠다고 공장 존나 지어서 가격 박살내고, 진짜 몇 놈 죽으면 살아남은 회사들이 다시 돈 버는 아주 평화로운 산업구조다.
수명
NAND는 닳는다
NAND는 쓰기와 삭제를 반복하면 셀이 물리적으로 열화된다.
따라서 SSD 역시 이론적으로 무한한 쓰기수명을 가지지는 않는다.
다만 현대 SSD는 웨어 레벨링·ECC·오버프로비저닝·배드블록 관리 같은 기술을 사용해 실제 제품수명을 크게 늘린다.[13]
일반 소비자가 정상적인 용도로 사용하는 SSD가 며칠 만에 닳아죽을까 봐 파일 저장을 아끼는 것은 보통 의미 없다.
SSD 샀는데 수명 줄까 봐 아무것도 저장 안 하면 가장 수명이 긴 방법이긴 하다. 자동차 사놓고 타이어 닳을까 봐 지하주차장에 세워두는 것과 비슷하다.
TBW
소비자 SSD에는 쓰기내구성을 나타내는 지표로 TBW(Terabytes Written)가 자주 사용된다.
제품보증기간 동안 제조사가 보증하는 누적쓰기량을 의미한다.
예를 들어 TBW가 600TB인 SSD라면 보증조건상 총 600TB의 호스트 쓰기량을 기준으로 내구성을 명시하는 식이다.
실제 고장시점과 TBW가 정확히 일치하는 것은 아니며 SSD 모델·용량·NAND 종류·사용환경에 따라 차이가 있다.
삭제와 데이터 복구
운영체제에서 파일을 삭제했다고 NAND 셀의 데이터가 바로 물리적으로 전부 지워지는 것은 아니다.
파일시스템과 SSD 컨트롤러는 해당 공간이 더 이상 필요 없다는 정보를 관리하고 이후 TRIM·가비지컬렉션 과정에서 실제 NAND 블록이 삭제될 수 있다.
따라서 HDD와 마찬가지로 단순삭제와 물리적인 데이터 제거는 다른 개념이지만, 현대 SSD에서는 TRIM·가비지컬렉션·암호화 때문에 삭제된 데이터 복구가 HDD보다 훨씬 어려워질 수 있다.
휴지통 비웠는데 국과수도 절대 못 살림?처럼 단순하게 예 아니오로 답할 수 있는 문제가 아니고 SSD 모델과 컨트롤러, TRIM 여부, 경과시간, 암호화 상태까지 봐야 한다.
여담
SSD 용량이 표시보다 작아 보이는 이유
SSD 제조사는 일반적으로 1GB를 10억 바이트 기준으로 표기하지만 운영체제는 2진수 단위를 사용하거나 시스템영역을 별도로 차감해 표시할 수 있다.
여기에 컨트롤러가 사용하는 예비 NAND 영역과 펌웨어 영역도 존재한다.
그래서 1TB SSD 샀는데 정확히 1,000GB가 파일저장공간으로 뜨지 않는다고 NAND가 중간에 몇십 GB 훔쳐간 것은 아니다.
NAND 없는 스마트폰은 상상하기 어렵다
스마트폰의 운영체제·앱·사진·영상·게임·메시지가 모두 NAND 기반 저장공간에 들어간다.
DRAM만 가지고 스마트폰을 만든다면 전원 껐다 켤 때마다 데이터가 초기화되는 기적의 디지털 일회용품이 탄생한다.
NAND와 NAND 게이트는 다른 맥락이다
NAND라는 이름 자체는 NAND 게이트의 회로배열과 관련돼 있지만 NAND 플래시를 논리게이트 그 자체라고 생각하면 안 된다.
NAND 플래시는 비휘발성 메모리 구조이며 이름은 셀 연결방식이 NAND 논리구조와 유사한 데서 나온 것이다.
V-NAND가 NAND와 다른 물건은 아니다
V-NAND는 삼성전자가 사용하는 3D NAND 브랜드명이다.
NAND와 V-NAND가 서로 다른 메모리 종류라는 뜻이 아니라 V-NAND가 3차원 구조의 NAND 플래시다.
마찬가지로 SK하이닉스의 4D NAND나 키옥시아의 BiCS FLASH도 각 회사의 3D NAND 기술명이다.
업체들이 자기 기술마다 이름 존나 붙여놔서 처음 보면 포켓몬 속성표 같지만 결국 뿌리는 NAND다.
NAND 가격이 SSD 가격에 영향을 준다
SSD 원가에서 NAND가 큰 비중을 차지하기 때문에 NAND 가격이 급등하거나 급락하면 소비자 SSD 가격에도 영향을 준다.
다만 환율·재고·컨트롤러 가격·유통마진·제품세대가 함께 영향을 주므로 NAND 현물가격이 20% 올랐다고 내일 SSD 가격도 정확히 20% 오르는 것은 아니다.
주요 종류
| 종류 | 셀당 비트 | 특징 |
|---|---|---|
| SLC | 1 | 고성능·고내구성·고비용 |
| MLC | 2 | 성능과 용량의 절충, 신제품 비중 감소 |
| TLC | 3 | 현대 SSD의 주력 NAND |
| QLC | 4 | 높은 용량효율, 소비자·기업용 고용량 SSD 확대 |
| PLC | 5 | 차세대 고집적 NAND 기술 |
주요 용어
| 용어 | 설명 |
|---|---|
| NAND Flash | 비휘발성 대용량 데이터 저장용 플래시 메모리. |
| Cell | NAND에서 데이터를 저장하는 기본 구조. |
| Page | NAND의 일반적인 읽기·쓰기 단위. |
| Block | 여러 페이지를 묶은 단위로 NAND 삭제의 기본단위. |
| P/E Cycle | Program/Erase Cycle. NAND의 쓰기·삭제 반복횟수. |
| Wear Leveling | 특정 NAND 셀만 집중적으로 닳지 않게 쓰기작업을 분산하는 기술. |
| Garbage Collection | 무효화된 데이터를 정리하고 블록을 다시 사용할 수 있게 하는 작업. |
| ECC | NAND에서 발생한 비트오류를 검출·수정하는 기술. |
| 3D NAND | 셀을 수직으로 여러 층 적층한 NAND. |
| V-NAND | 삼성전자의 3D NAND 기술명. |
| 4D NAND | SK하이닉스의 3D NAND 기술명. |
| BiCS FLASH | 키옥시아의 3D NAND 기술명. |
검색할 때
관련 자료를 찾을 때는 NAND 플래시, 낸드플래시, 낸드 플래시 메모리, NAND Flash Memory, NAND 원리, SLC MLC TLC QLC 차이, 3D NAND, V-NAND, NAND DRAM 차이, NAND SSD 차이, NAND 시장점유율, 삼성전자 SK하이닉스 NAND, YMTC NAND 등의 검색어를 함께 사용하면 좋다.
같이 보기
외부 링크
- Samsung Semiconductor - NAND Flash Memory
- Samsung Semiconductor - Types of NAND Flash
- KIOXIA - What is NAND Flash Memory?
- KIOXIA - NAND Flash Technology History
- Micron - NAND Flash
- Micron - Choosing the Right NAND
- SK hynix - NAND Technology Heritage
- Counterpoint Research - NAND 시장점유율
- TrendForce - 2Q26 NAND Flash Revenue
- ↑ Samsung Semiconductor - NAND Flash Memory
- ↑ Samsung Semiconductor - Flash Memory
- ↑ 3.0 3.1 KIOXIA - What is NAND Flash Memory?
- ↑ Samsung Semiconductor - V-NAND
- ↑ KIOXIA - Technical Glossary
- ↑ KIOXIA - NOR to NAND Technical Brief
- ↑ Samsung Semiconductor - NOR Flash Memory
- ↑ 8.0 8.1 8.2 Samsung Semiconductor - NAND Flash Memory Data Storage Methods
- ↑ 9.0 9.1 Micron - NAND Flash
- ↑ 10.0 10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 Micron - Choosing the Right NAND
- ↑ 11.0 11.1 Micron - TLC and QLC Devices
- ↑ 12.0 12.1 SK hynix - 321-layer QLC NAND cSSD
- ↑ 13.0 13.1 13.2 13.3 13.4 Micron - What is an SSD?
- ↑ 14.0 14.1 삼성전자 반도체 - 3D V낸드플래시
- ↑ Samsung Semiconductor - Flash Memory History
- ↑ Samsung Semiconductor - 9th Gen V-NAND
- ↑ Samsung Semiconductor - FMS 2026
- ↑ KIOXIA - Technology Development History
- ↑ KIOXIA - BiCS FLASH Technology
- ↑ SK hynix - Heritage
- ↑ SK hynix - 321-Layer QLC NAND
- ↑ SK hynix - 2Q26 Results
- ↑ Computer History Museum - Flash Memory
- ↑ Computer History Museum - Oral History of Fujio Masuoka
- ↑ KIOXIA - Company Information
- ↑ KIOXIA - SSD History
- ↑ 27.0 27.1 27.2 27.3 Counterpoint Research - Server-led eSSD NAND Demand
- ↑ KIOXIA - Memory
- ↑ 30.0 30.1 30.2 TrendForce - 2Q26 NAND Flash Revenue