DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory, 동적 임의 접근 메모리)은 데이터를 임시로 저장하는 휘발성 메모리의 한 종류로, 현대 컴퓨터·스마트폰·서버·그래픽카드·AI 가속기에서 사용되는 주력 RAM이다. 한국에서는 보통 D램이라고 부른다. 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 사라지고, 전원이 켜져 있어도 메모리 셀에 저장된 전하가 조금씩 새기 때문에 일정 주기로 데이터를 다시 읽고 써주는 리프레시가 필요하다는 것이 가장 큰 특징이다.

DRAM의 기본 메모리 셀은 일반적으로 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성된다. 커패시터에 전하가 있느냐 없느냐를 이용해 0과 1을 저장하고, 트랜지스터가 이 전하를 읽고 쓰는 문 역할을 한다. 구조가 비교적 단순해 좁은 면적에 엄청나게 많은 비트를 집어넣을 수 있기 때문에, 더 빠르지만 비싸고 면적을 많이 먹는 SRAM보다 대용량 메인 메모리에 적합하다.

일반인이 컴퓨터 부품점에서 RAM 32GB라고 사는 물건도 대부분 실제 메모리 기술은 DRAM이다. 그래서 일상에서는 RAM과 DRAM을 거의 같은 말처럼 쓰기도 하지만 엄밀히 말하면 RAM이 더 큰 개념이고 DRAM은 그중 하나다. CPU 캐시에 들어가는 SRAM도 RAM이므로 RAM = DRAM이라고 완전히 등호를 박아버리면 컴퓨터공학과 조교가 멀리서 달려올 수 있다.

2026년 현재 DRAM은 DDR5·LPDDR5X·LPDDR6·GDDR·HBM 등 여러 형태로 발전했으며, 특히 인공지능 데이터센터 확대로 HBM 수요가 폭증하면서 다시 반도체 산업의 핵심으로 떠올랐다. 세계 DRAM 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론(기업)이 여전히 대부분을 차지하고 있으며 중국의 CXMT가 빠르게 추격하고 있다. TrendForce 기준 2026년 2분기 매출 점유율은 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%, CXMT 9.5%였다.

구조와 원리

1T1C 셀

현대 DRAM을 이해할 때 가장 중요한 구조는 1T1C, 즉 One Transistor One Capacitor다. 하나의 메모리 셀이 트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 구성된다.

커패시터는 아주 작은 전기 저장통이라고 생각하면 된다. 전하가 저장돼 있는 상태와 없는 상태를 구분해 1비트의 정보를 나타내고, 트랜지스터가 해당 셀을 데이터선에 연결하거나 차단한다.

CPU가 어떤 데이터를 요구하면 메모리 컨트롤러가 해당 DRAM 셀의 행과 열을 선택하고 저장된 전하상태를 읽는다.

이 단순한 구조 덕분에 같은 반도체 면적에 엄청난 수의 메모리 셀을 넣을 수 있다. SRAM이 비트 하나 저장한다고 트랜지스터 여러 개를 집어넣는 동안 DRAM은 트랜지스터 하나에 커패시터 하나면 됨 ㅅㄱ 하고 공간을 존나 아끼는 것이다.

리프레시

문제는 커패시터가 전하를 영원히 보관하지 못한다는 것이다. 전하가 조금씩 누설되기 때문에 시간이 지나면 원래 저장한 0과 1을 구분할 수 없게 된다.

그래서 DRAM은 메모리 셀의 데이터를 일정 주기로 다시 읽어 재충전하는 Refresh 작업을 계속 수행한다. 이 때문에 이름에 `Dynamic`, 즉 동적이라는 표현이 붙었다.

컴퓨터가 아무것도 안 하고 가만히 있는 것처럼 보여도 RAM 안에서는 데이터를 안 까먹으려고 주기적으로 복습하고 있다. 사람이 시험 전날만 복습하는 것과 달리 얘는 전원 켜져 있는 동안 평생 복습한다.

휘발성 메모리

DRAM은 휘발성 메모리이므로 전원 공급이 끊기면 데이터가 사라진다.

그래서 문서나 사진을 RAM에만 올려놓는 것이 아니라 SSD나 HDD 같은 비휘발성 저장장치에 저장해야 한다.

컴퓨터 전원 뽑았는데 방금 작성한 파일이 없어졌다고 RAM 제조사한테 따질 수는 없다. 애초에 기억하라고 만든 장기기억 장치가 아니다.

읽는 것도 데이터에 영향을 준다

전통적인 DRAM 셀에서는 데이터를 읽는 과정 자체가 커패시터의 전하상태에 영향을 주기 때문에 센스 앰프가 읽은 값을 다시 셀에 복원한다.

이처럼 저장·읽기·리프레시가 계속 반복되면서 DRAM이 동작한다.

구조만 보면 단순한데 수십억 개 셀을 오류 없이 같은 속도로 돌려야 하므로 실제 제조는 전혀 단순하지 않다. 그림에서는 트랜지스터 하나, 커패시터 하나 그려놓고 끝인데 삼성전자랑 SK하이닉스가 공장 하나에 수십조씩 처박는 데는 이유가 있다.

역사

로버트 데나드

현대 DRAM의 핵심 구조는 IBM 연구원이었던 로버트 데나드(Robert Dennard)가 1966년 고안했다.

당시 반도체 메모리는 비트 하나를 저장하는 데 여러 개의 트랜지스터가 필요했는데, 데나드는 데이터를 커패시터의 전하로 저장하면 트랜지스터 하나만으로 메모리 셀을 만들 수 있다는 아이디어를 떠올렸다.

IBM과 데나드는 1968년 DRAM 관련 특허를 취득했다.

컴퓨터 역사에서 존나 중요한 발명인데 아이디어가 나온 장소는 거대한 연구실도 아니고 집 소파에 누워 생각하다가 떠올렸다고 한다. 인류는 가끔 누워 있는 사람을 함부로 게으르다고 욕하면 안 된다.

Intel 1103

1970년 인텔은 1킬로비트급 DRAM인 Intel 1103을 출시했다. Computer History Museum은 1103을 기존 자기코어 메모리를 본격적으로 위협한 최초의 상업적인 반도체 DRAM 가운데 하나로 평가한다.

이후 반도체 공정기술이 발전하면서 DRAM 용량은 킬로비트에서 메가비트, 기가비트 단위로 미친 듯이 커졌다.

일본과 한국의 성장

1980년대에는 일본의 NEC·도시바·히타치 등 반도체 업체가 DRAM 시장을 강하게 지배했다. 이후 1990년대부터 삼성전자와 현대전자 등이 빠르게 성장하면서 시장 중심이 한국으로 이동했다.

현대전자의 메모리 사업은 여러 구조조정을 거쳐 현재의 SK하이닉스로 이어졌고, 삼성전자와 SK하이닉스는 세계 DRAM 시장의 핵심 업체가 됐다.

과거 일본 기업들이 한국 반도체를 기술 뒤처진 싸구려 후발주자쯤으로 보다가 시장을 뺏겼는데, 2020년대 한국 업계가 중국 CXMT를 바라보면서 비슷한 대사를 하기 시작했다. 역사는 가끔 사람 기분 더럽게 반복된다.

종류

SDRAM

SDRAM은 Synchronous Dynamic Random Access Memory의 약자로 시스템 클럭에 맞춰 동작하는 DRAM이다.

과거 비동기식 DRAM보다 메모리 컨트롤러와 데이터를 효율적으로 주고받을 수 있어 PC 메모리의 기본기술로 자리잡았다.

현재 사용하는 DDR 계열도 크게 보면 SDRAM의 발전형이다.

DDR SDRAM

DDR은 Double Data Rate의 약자로 클럭 신호의 상승과 하강 양쪽에서 데이터를 전송해 한 클럭 주기 동안 두 번 데이터를 보낼 수 있는 DRAM이다.

일반 PC와 서버의 메인 메모리에서 가장 흔하게 사용되는 계열이다.

세대	특징
DDR	초기 Double Data Rate SDRAM
DDR2	전송속도와 효율 개선
DDR3	전압과 소비전력 감소, 전송속도 증가
DDR4	2010년대 PC·서버의 대표 메모리
DDR5	더 높은 대역폭과 용량을 제공하며 2020년대 PC·서버의 주력으로 전환 중

DDR 세대는 물리적인 슬롯과 전기적 특성이 다르기 때문에 DDR4 메모리를 DDR5 메인보드에 꽂거나 반대로 사용할 수 없다.

모양 얼추 비슷하다고 힘으로 쑤셔 넣는다고 호환성이 생기지는 않는다. 그건 업그레이드가 아니라 메인보드 파괴다.

LPDDR

LPDDR은 Low Power Double Data Rate의 약자로 소비전력을 줄이는 데 초점을 맞춘 DRAM이다.

스마트폰·태블릿·노트북·자동차 등 배터리와 전력효율이 중요한 기기에 많이 사용된다.

LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR5X를 거쳐 2026년에는 LPDDR6 세대가 등장하고 있다.

모바일 기기는 메모리가 아무리 빨라도 배터리를 존나 빨아먹으면 사용자가 충전기 노예가 되므로 성능만큼 전력효율이 중요하다.

GDDR

GDDR은 Graphics Double Data Rate의 약자로 그래픽 처리에 필요한 높은 메모리 대역폭을 제공하도록 설계된 DRAM이다.

주로 그래픽 카드의 VRAM으로 사용되며 GDDR5, GDDR6, GDDR6X, GDDR7 등으로 발전했다.

게임에서 해상도와 텍스처 품질을 올렸더니 VRAM 사용량이 16GB 처먹는다고 뜨는 그 메모리도 기본적으로 DRAM 계열이다.

HBM

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 DRAM 다이를 수직으로 적층하고 넓은 인터페이스를 사용해 매우 높은 메모리 대역폭을 제공하는 기술이다.

일반 DDR이나 GDDR보다 훨씬 넓은 데이터 통로를 사용하며 AI 가속기와 고성능 GPU에서 특히 중요해졌다.

엔비디아의 AI GPU 같은 고성능 연산장치가 엄청난 데이터를 빠르게 처리하려면 GPU 자체 연산속도뿐 아니라 메모리가 데이터를 얼마나 빨리 공급하느냐가 중요하기 때문이다.

2026년에는 AI 데이터센터 투자로 HBM 수요가 폭증했으며 삼성전자는 2027년 HBM 생산이 세계 DRAM 웨이퍼 생산능력의 약 30%까지 차지할 수 있다고 전망했다.

예전에는 컴퓨터 살 때 RAM이 그냥 CPU 옆에서 데이터 받아주는 조연 같은 이미지였는데 AI 시대가 오니까 갑자기 HBM이 주연배우가 됐다.

DRAM과 다른 메모리

SRAM

SRAM은 Static Random Access Memory의 약자다.

SRAM은 DRAM처럼 커패시터를 주기적으로 리프레시할 필요가 없고 접근속도가 더 빠르지만 하나의 비트를 저장하는 데 더 많은 트랜지스터가 필요해 면적과 비용이 커진다.

그래서 CPU 캐시처럼 조금만 있어도 되는데 존나 빨라야 하는 곳에는 SRAM을 사용하고, 메인 메모리처럼 수십 GB를 때려박아야 하는 곳에는 DRAM을 사용한다.

구분	DRAM	SRAM
기본 구조	일반적으로 1 트랜지스터 + 1 커패시터	여러 트랜지스터
리프레시	필요	불필요
속도	상대적으로 느림	빠름
집적도	높음	낮음
비용	상대적으로 저렴	비쌈
주요 용도	메인 메모리, 그래픽 메모리, HBM	CPU 캐시 등

NAND 플래시

NAND 플래시는 SSD·USB 메모리·스마트폰 저장공간 등에 사용하는 비휘발성 메모리다.

DRAM과 가장 큰 차이는 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있다는 점이다.

대신 DRAM보다 접근속도가 느리고 쓰기수명과 삭제단위 등의 제약이 있다.

그래서 컴퓨터에는 둘 다 들어간다. SSD는 파일을 장기간 보관하고 DRAM은 지금 당장 CPU가 사용할 데이터를 임시로 올려놓는다.

SSD 2TB 달았다고 RAM도 2TB네 개꿀이라고 하면 컴퓨터가 그렇게 만만하지 않다.

성능

용량

DRAM에서 일반 소비자가 가장 쉽게 보는 숫자는 용량이다.

8GB, 16GB, 32GB처럼 표시되며 프로그램이 동시에 사용하는 데이터가 많을수록 필요한 RAM 용량도 증가한다.

RAM이 부족하면 운영체제가 SSD나 HDD 일부를 가상메모리로 사용하게 되는데 저장장치는 DRAM보다 훨씬 느리기 때문에 시스템 반응성이 크게 떨어질 수 있다.

크롬 탭 80개 열어놓고 게임 켜고 포토샵까지 돌리면서 왜 컴퓨터 느림? 하면 RAM 입장에서도 할 말이 많다.

대역폭

대역폭은 일정시간 동안 메모리가 얼마나 많은 데이터를 전송할 수 있는지를 의미한다.

DDR 세대와 데이터 전송률, 메모리 버스폭, 채널 수 등에 따라 달라진다.

AI와 그래픽 연산에서는 한 번에 처리해야 하는 데이터가 워낙 많기 때문에 대역폭이 특히 중요하고, 이것이 HBM이 각광받는 이유 가운데 하나다.

지연시간

대역폭이 높다고 모든 메모리 작업이 무조건 빨라지는 것은 아니다.

DRAM은 특정 데이터를 읽기 위해 행을 활성화하고 열을 선택하는 여러 단계를 거치며 각 단계에 필요한 시간이 있다.

PC 메모리에서 흔히 보는 `CL30`, `CL40` 같은 CAS Latency 숫자도 이러한 지연시간과 관련된다.

다만 메모리 세대와 동작속도가 다르면 CL 숫자만 직접 비교해서 30이 40보다 무조건 25% 빠르네라고 하면 틀릴 수 있다. 실제 지연시간은 데이터 전송률까지 같이 계산해야 한다.

채널

메모리 컨트롤러가 여러 메모리 채널을 동시에 사용할 수 있으면 대역폭을 높일 수 있다.

일반 PC에서 같은 용량의 메모리 두 개를 적절한 슬롯에 장착해 듀얼채널로 사용하는 이유도 이것이다.

RAM 하나 크게 박는 것보다 두 개로 나눠 박는 게 성능상 유리한 경우가 있는 이유다.

제조

미세화

DRAM 제조업체는 더 작은 셀을 만들어 한 장의 웨이퍼에서 더 많은 비트를 생산하려고 계속 공정을 미세화한다.

셀 크기가 줄어들면 생산효율과 용량 측면에서 유리하지만 커패시터에 충분한 전하를 저장하고 셀 간 간섭과 누설을 제어하는 것이 점점 어려워진다.

CPU처럼 트랜지스터 크기만 줄이면 된다고 생각하기 쉽지만 DRAM은 커패시터까지 같이 해결해야 해서 구조가 존나 괴랄해진다.

커패시터

DRAM 공정에서 가장 골치 아픈 부분 가운데 하나가 커패시터다.

셀 면적은 계속 줄어드는데 충분한 전하량을 확보해야 하기 때문에 커패시터를 수직으로 길게 만들고 고유전율 물질과 복잡한 구조를 사용한다.

반도체 현미경 사진을 보면 DRAM 커패시터가 지하주차장 기둥처럼 빽빽하게 서 있는 이유가 이것이다.

수율

반도체 제조에서는 웨이퍼에서 정상적으로 동작하는 칩의 비율인 수율이 매우 중요하다.

공정기술이 새로워도 수율이 개판이면 정상칩 하나 만드는 비용이 올라가기 때문에 실제 대량생산 경쟁력이 없다.

메모리 산업에서 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 같은 업체가 오랫동안 강한 이유도 단순히 회로설계만 잘해서가 아니라 수십 년 동안 대규모 생산과 수율관리 경험을 쌓았기 때문이다.

시장

삼성전자

삼성전자는 오랫동안 세계 최대 DRAM 업체 가운데 하나였으며 2026년 2분기 TrendForce 기준 매출 점유율 39.4%로 1위를 차지했다.

DDR·LPDDR·GDDR·HBM 등 거의 모든 주요 DRAM 제품군을 생산한다.

SK하이닉스

SK하이닉스는 2026년 2분기 DRAM 시장점유율 24.9%로 2위를 기록했다.

특히 AI용 HBM 분야에서 강한 경쟁력을 확보하면서 2020년대 중반 회사 실적과 기업가치가 크게 상승했다.

삼성전자랑 묶어서 삼전닉스라고 부르지만 실제 영업현장에서는 HBM 물량 하나 더 따먹으려고 존나 싸우는 경쟁사다.

마이크론

미국의 마이크론(기업)은 2026년 2분기 23.3% 점유율로 세계 3위 DRAM 공급업체였다.

DDR·LPDDR·HBM 등 여러 DRAM 제품을 생산하며 특히 미국 AI 반도체 공급망에서 중요한 업체로 평가된다.

CXMT

중국의 CXMT는 2010년대 후반부터 DRAM 시장에 본격적으로 진입했다.

2026년 2분기 매출 점유율은 9.5%로 상승해 세계 4위에 자리잡았다.

DDR4·DDR5와 LPDDR 제품을 중심으로 중국 내수시장에서 빠르게 생산량을 늘리고 있으며 한국 메모리 업계에서 가장 신경 쓰는 후발주자 가운데 하나가 됐다.

한국도 1980년대 일본 업체 뒤에서 DRAM 만들기 시작해서 결국 세계 1위까지 올라간 역사가 있기 때문에 중국은 기술격차 있으니까 별거 아님 ㅋㅋ 하기는 조금 찔린다.

주요 업체

업체	국가	2026년 2분기 매출 점유율
삼성전자	대한민국	39.4%
SK하이닉스	대한민국	24.9%
마이크론(기업)	미국	23.3%
CXMT	중국	9.5%

치킨게임과 가격

가격이 존나 출렁인다

DRAM은 대표적인 반도체 치킨게임 산업이다.

공장 하나 짓는 데 막대한 돈이 들어가지만 완성된 공장은 계속 칩을 찍어내야 고정비를 회수할 수 있기 때문에 수요가 줄어도 생산을 쉽게 멈추기 어렵다.

공급이 조금만 넘쳐도 DRAM 가격이 크게 떨어지고, 업체들이 감산하거나 경쟁사가 망하면 공급이 줄어 가격이 다시 올라간다.

이 구조 때문에 메모리 업계는 몇 년 간격으로 역대급 호황 → 씨발 망했다 → 감산 → 다시 역대급 호황을 반복해왔다.

살아남은 회사가 별로 없다

과거 DRAM 시장에는 일본·미국·유럽·대만의 수많은 업체가 있었지만 가격경쟁과 막대한 설비투자를 견디지 못하고 상당수가 철수하거나 합병됐다.

독일의 키몬다, 일본의 엘피다 같은 대형업체도 결국 독립적으로 살아남지 못했다.

현재 세계 시장 대부분을 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 차지하는 이유도 이 장기간의 치킨게임 결과다.

AI 시대

2026년에는 상황이 반대로 공급부족에 가깝다.

TrendForce는 2026년 2분기 DRAM 산업 매출이 전 분기보다 59.5% 증가한 약 1,547억 달러에 달했다고 집계했으며 AI 서버와 HBM, 고용량 DDR5 수요가 공급증가 속도를 크게 앞질렀다고 분석했다.

HBM과 일반 DRAM은 상당 부분 같은 웨이퍼 생산능력을 공유하기 때문에 업체들이 돈 되는 HBM 생산을 늘리면 일반 DDR 생산이 줄어 가격이 오르는 효과도 발생한다.

AI 회사들이 GPU를 존나 사기 시작했더니 HBM이 부족해지고, HBM 만든다고 일반 DRAM 생산을 줄였더니 PC용 RAM도 부족해지는 나비효과가 벌어지는 중이다.

여담

RAM이라고 하면 보통 DRAM이다

일반 소비자가 컴퓨터에서 `RAM`이라고 말할 때는 대부분 DDR 계열 DRAM을 의미한다.

하지만 기술적으로는 SRAM도 RAM이고 여러 특수 메모리도 Random Access Memory 범주에 들어갈 수 있다.

따라서 컴퓨터 쇼핑할 때는 크게 문제 없지만 반도체 시험에서 RAM이 곧 DRAM이다라고 쓰면 교수님이 점수를 DRAM처럼 휘발시킬 수 있다.

D램과 디램

한국 언론에서는 보통 D램이라고 표기한다.

업계 사람들 사이에서는 영어 발음을 그대로 옮긴 디램이라는 표현도 흔하다.

둘 다 DRAM을 의미한다.

메모리가 많으면 무조건 컴퓨터가 빨라지나

RAM이 부족한 시스템에서는 용량을 늘리면 체감성능이 크게 좋아질 수 있다.

하지만 이미 필요한 메모리가 충분한데 32GB를 64GB로 늘린다고 CPU 계산속도나 게임 프레임이 두 배로 오르는 것은 아니다.

책상 좁아서 서류를 바닥에 쌓아놓던 사람에게 책상을 두 배로 늘려주면 일이 빨라지지만 이미 책상이 남아도는 사람에게 운동장만 한 책상을 줘도 엑셀 계산이 빨라지지는 않는다.

DRAM 없는 현대 컴퓨터는 사실상 상상하기 어렵다

CPU가 아무리 빨라도 프로그램과 데이터를 공급할 작업공간이 필요하기 때문에 대용량 DRAM은 현대 컴퓨터 시스템의 핵심 구성요소다.

PC와 스마트폰뿐 아니라 서버, 자동차, 게임기, 네트워크 장비, AI 가속기 등 거의 모든 고성능 디지털 장치에 DRAM이 들어간다.

1966년 IBM 연구원이 집 소파에서 생각한 아이디어 하나가 60년 뒤 전 세계 AI 서버 건설계획과 한국 수출액까지 흔들고 있다.

주요 계열

종류	주요 용도
DDR	PC·서버 메인 메모리
LPDDR	스마트폰·태블릿·저전력 기기
GDDR	그래픽카드·GPU
HBM	AI 가속기·고성능 GPU·HPC

주요 용어

용어	설명
DRAM	Dynamic Random Access Memory. 주기적인 리프레시가 필요한 휘발성 RAM.
D램	대한민국에서 일반적으로 사용하는 DRAM의 한글 표기.
Memory Cell	1비트의 데이터를 저장하는 DRAM의 기본 단위.
1T1C	트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성되는 대표적인 DRAM 셀 구조.
Refresh	누설되는 전하를 복원하기 위해 데이터를 주기적으로 다시 저장하는 과정.
DDR	한 클럭의 상승·하강 양쪽에서 데이터를 전송하는 DRAM 계열.
LPDDR	모바일 기기를 위한 저전력 DRAM.
GDDR	그래픽처리에 최적화한 DRAM.
HBM	여러 DRAM 다이를 적층해 높은 대역폭을 제공하는 메모리.

검색할 때

관련 자료를 찾을 때는 DRAM, D램, 디램, Dynamic Random Access Memory, DRAM 원리, DRAM SRAM 차이, DDR DRAM 차이, DRAM 커패시터, DRAM 리프레시, HBM DRAM, DRAM 시장점유율, 삼성전자 SK하이닉스 DRAM 등의 검색어를 함께 사용하면 좋다.

같이 보기

• RAM
• SRAM
• DDR SDRAM
• DDR4
• DDR5
• LPDDR
• GDDR
• HBM
• NAND 플래시
• SSD
• 반도체
• 메모리 반도체
• 삼성전자
• SK하이닉스
• 마이크론(기업)
• CXMT
• 삼전닉스
• 로버트 데나드
• 반도체 치킨게임

외부 링크

• 삼성전자 반도체 - D램
• Samsung Semiconductor - DRAM
• Samsung Semiconductor - DDR
• Micron - DDR5 DRAM
• IBM - Dynamic Random-Access Memory
• Computer History Museum - DRAM History
• TrendForce - 2Q26 DRAM Industry Revenue